特許

J-GLOBAL ID：200903098555169952

半導体装置及びその製造方法

発明者： 戸松 裕 ,  尾関 善彦 ,  藤田 充貞
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260213
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069016
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 ゲート酸化膜の耐圧劣化やゲート信頼性低下の問題を解決する【解決手段】 p+型不純物注入領域21、22を形成する工程では、外周耐圧部側のp+型不純物注入領域22のうち内周側に位置する第1領域22aと外周側に位置する第2領域22bとの間に隙間が空く部位が形成されるようにし、フィールド酸化膜形成工程およびゲート酸化膜形成工程において形成されるフィールド酸化膜16とゲート酸化膜8の境界部が第1領域22aと第2領域22bとの間に空けられた隙間に配置されるようにする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層(2)が形成された半導体基板(1、2)を有し、前記半導体基板の表面にゲート酸化膜(8)を介してゲート(9)が設けられた素子が形成されるセル部と、該セル部の外周を囲むように形成される外周耐圧部とが備えられ、前記外周耐圧部における前記半導体層の表層部に、第2導電型の外周部ウェル領域(14)が形成されていると共に、該外周部ウェル領域の上にフィールド酸化膜(16)が形成されてなる半導体装置において、前記ゲート酸化膜と前記フィールド酸化膜とはつながっていて、これらゲート酸化膜とフィールド酸化膜との境界部および前記フィールド酸化膜の上まで前記ゲートが延設された構成となっており、前記外周部ウェル領域の上に前記境界部が位置していると共に、該境界部が位置する部位においては、前記外周部ウェル領域は第2導電型不純物が熱拡散されて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 逆方向電力パルスへの良好な抵抗を有するIGBT電力デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-181184   出願人：デルフィ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
• 特開平3-155167