特許

J-GLOBAL ID：200903010756241622

逆方向電力パルスへの良好な抵抗を有するIGBT電力デバイス

発明者： ジョン・ロスゲブ・フルス ,  スティーヴン・ポール・バーロウ ,  ジェラル・アラン・ロング ,  マイケル・ジョセフ・ヒューマー
出願人/特許権者： デルフィ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181184
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133796
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板12上のエピタキシャル層16の内部領域におけるアクティブなセルを包囲しダイ・エッジ48から分離するエッジ終端構造を含む半導体電力デバイス100を提供する。【解決手段】 エッジ終端構造は、ポリシリコン層26の下側でアクティブなセルを包囲する第1の導電型式のウェル34と、ウェル34を完全に包囲する逆の導電性のウェル30と、ウェル30と接触するメタライゼーション42とを含む。ウェル34は低電圧リング28の一部であり、ウェル30は高電圧リングの一部である。ウェル30、34は、逆方向電力パルスが生じる時に、エピタキシャル層16を介してバラスト抵抗を提供するため相互にかつダイ・エッジ48に関して隔てられることが望ましい。

請求項（抜粋）：

半導体電力デバイス(100)であって、第1の導電型式の半導体基板(12)と、前記第1の導電型式と逆の導電型式を持ち、内部領域を有し、かつ前記半導体電力デバイス(100)のダイ・エッジ(48)と前記内部領域との間になるように該内部領域を包囲する周辺領域を持つ前記基板(12)上のエピタキシャル層(16)と、該エピタキシャル層(16)に重なり合いかつこれから電気的に絶縁された半導体層(26)と、該半導体層(26)と電気的に接触する第1のメタライゼーション(36)と、前記エピタキシャル層(16)の内部領域にある複数のアクティブなセルであって、各々がコレクタ/アノード端子(46)とエミッタ/カソード端子(22)と前記半導体層(26)により形成されたゲート端子(26)と前記エピタキシャル層(16)により形成されたベース(16)とを持つ複数のアクティブなセルと、前記半導体電力デバイス(100)のダイ・エッジ(48)の付近にあって前記エピタキシャル層(16)の内部領域を包囲するように該エピタキシャル層(16)の周辺領域にあるエッジ終端構造(28、30)とを備える半導体電力デバイス(100)であって、前記エッジ終端構造(28、30)が、前記半導体層(26)の下側にあって前記エピタキシャル層(16)の内部領域を完全に包囲する第1の導電型式の第1のウェル(34)と、前記エッジ終端構造(28、30)のゲート端子を形成するように前記半導体層(26)と前記第1のウェル(34)の一部との間に設けられた誘電層(38)と、前記第1のウェル(34)を完全に包囲し、前記半導体層(26)から電気的に絶縁される逆の導電性の第2のウェル(30)と、前記第2のウェル(30)と接触しかつ前記半導体層(26)から電気的に絶縁される第2のメタライゼーション(42)とを含み、前記第1のウェル(34)が前記第2のウェル(30)から少なくとも250μm隔てられ、かつ前記第2のウェル(30)が前記半導体電力デバイス(100)のダイ・エッジ(48)から少なくとも100μm隔てられることを特徴とする半導体電力デバイス。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206799   出願人：株式会社東芝
• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285922   出願人：日本電装株式会社