半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：横山淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365581
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173432
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】本発明は、CMOSトランジスタにおいて、nチャネル型トランジスタとpチャネル型トランジスタの両方のオン電流を更に向上させて、かつ製造工程の効率が向上する製造方法を提供する。【解決手段】nチャネル型トランジスタは、不純物領域と、ゲート酸化膜、ゲート電極およびゲート電極側壁絶縁膜からなる第1のゲート積層体と、半導体基板の表面および前記第1のゲート積層体を覆う引張応力を有する第1の応力制御膜とを備え、前記半導体基板の第2の領域に配置されてなるpチャネル型トランジスタは、不純物領域と、ゲート酸化膜およびゲート電極からなりゲート電極側壁絶縁膜を有していない第2のゲート積層体と、半導体基板の表面および前記第2のゲート積層体を覆う圧縮応力を有する第2の応力制御膜とを備えていることを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の活性領域上に、第1のゲート酸化膜を介して形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極に位置合わせして形成された第1の拡散層と、前記第1の活性領域を覆う第1の応力制御膜とを有し、前記第1の応力制御膜が前記第1の拡散層と接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L27/08 321C , H01L27/08 321E , H01L27/08 321F , H01L29/78 301N

Fターム (54件)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD00 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F140AA05 , 5F140AA29 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK12 , 5F140BK21 , 5F140BK27 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CC13 , 5F140CC14 , 5F140CD06 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342667 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076182 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-355794 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-355794 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-076182 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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