特許
J-GLOBAL ID：200903098571940740

半導体発光デバイス

発明者：
前田 俊秀

前田 俊秀 について

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大塩 祥三

大塩 祥三 について

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岩間 克昭

岩間 克昭 について

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北原 博実

北原 博実 について

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池田 忠昭

池田 忠昭 について

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亀井 英徳

亀井 英徳 について

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花田 康行

花田 康行 について

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坂上 恵

坂上 恵 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-164008
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235184
出願日： 2007年06月21日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色LEDと、青色LEDの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色LEDが放つ青色光を吸収して550nm以上で600nm以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式(Sr1-a1-b1-x Baa1Cab1Eux )2 SiO4 (0≦a1≦0.3、0≦b1≦0.8、0 請求項（抜粋）：
430nmを超え500nm以下の波長領域に主発光ピークを有する青色光を放つ青色発光ダイオードと、前記青色発光ダイオードが放つ青色光を吸収して505nm以上598nm以下の波長領域に主発光ピークを有する蛍光を放つ蛍光体とを組み合わせ、該蛍光体を含有する蛍光体層によって青色発光ダイオードを覆う構造の半導体発光デバイスであって、 前記蛍光体を、(Sr1-a3-b3-xBaa3Cab3Eux)2SiO4の化学式で表される化合物を主体にしてなる、中心粒径が0.5μm以上30μm以下の、斜方晶系の結晶構造を有する珪酸塩蛍光体にし、かつ、前記青色発光ダイオードの少なくとも主光取り出し面上に位置する前記蛍光体層の実質厚みを50μm以上としたことを特徴とする半導体発光デバイス。 ただし、a3、b3、xは、各々、0≦a3≦1、0≦b3≦1、0 IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
Fターム (18件)：
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA01 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041FF04 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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