特許

J-GLOBAL ID：200903098596440628

多次元量子井戸素子およびその製造方法

発明者： 荒井 滋久 ,  末松 安晴 ,  古屋 一仁 ,  小森 和弘
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037091
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 寸法のばらつきがきわめて小さく、微細化が可能な多次元量子井戸素子、すなわち量子細線素子または量子箱素子を提供しようとするものである。【構成】 基板11の上に第1の材料層12および第2の材料層13を多数交互に積層して多層積層体14を形成し、その積層面に垂直または傾斜した断面Fに現れる第1の層12の上に量子井戸材料を選択的に成長させて量子細線15を形成する。この量子細線15の巾は第1の層12の膜厚によって規定され、ピッチは第2の層13の膜厚によって規定されるので、量子井戸素子の寸法のばらつきは小さく微細化も可能である。

請求項（抜粋）：

異なる2種類以上の材料から成る多層積層構造の積層面に対して垂直または傾斜した断面に離散的に現れる特定の材料の上に、選択的に成長させた量子井戸材料より成る量子細線を具えることを特徴とする多次元量子井戸素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/804

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-156693
  
• 特開昭62-172712
  
• 特開平3-254169
  
• 特開平4-356963