特許
J-GLOBAL ID：200903098606201546
プラズマCVD法による蒸着膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-020912
公開番号（公開出願番号）：特開2006-342423
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】ガスバリア性及び基体に対する密着性に優れ、さらには耐熱性にも優れたプラズマCVD法による蒸着膜を提供する。【解決手段】有機金属化合物と酸化性ガスとを用いてのプラズマCVD法による蒸着膜において、該蒸着膜は、基体側に位置する有機無機複合領域Yと、有機無機複合領域Yの上に形成された無機性領域Xとを有し、有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素(O)及び炭素(C)の元素基準で表して、有機無機複合領域Yは、元素比(C/M)及び元素比(O/M)が、0.2<C/M<1.8、及び1.5≦O/Mを満足し、且つ該金属元素(M)の結合エネルギーが無機性領域中で炭素濃度が5%未満の金属元素(M)の平均値よりも0.1eV〜0.7eV低い範囲にあり、無機性領域Xは、元素比(C/M)が、C/M≦0.2を満足している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたプラズマCVD法により基体表面に形成した蒸着膜において、
該蒸着膜は、基体側に位置する有機無機複合領域と、該有機無機複合領域の上に形成された無機性領域とを有しており、
前記有機金属化合物に由来する金属元素(M)、酸素(O)及び炭素(C)の元素基準で表して、
前記有機無機複合領域は、元素比(C/M)及び元素比(O/M)が下記条件:
0.2<C/M<1.8
1.5≦O/M
を満足し、且つ該金属元素(M)の結合エネルギーが前記無機性領域中で炭素濃度が5%未満の金属元素(M)の平均値よりも0.1eV〜0.7eV低い範囲にあり、
前記無機性領域は、元素比(C/M)が下記条件:
C/M≦0.2
を満足していることを特徴とする蒸着膜。
IPC (3件)：
C23C 16/42
, B65D 23/02
, B65D 25/14
C23C16/42
, B65D23/02 Z
, B65D25/14 Z
3E062AA09
, 3E062AC02
, 3E062JA01
, 3E062JA07
, 3E062JB24
, 3E062JC02
, 3E062JD01
, 3E062JD04
, 4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA37
, 4K030BA44
, 4K030BA48
, 4K030BB13
, 4K030CA07
, 4K030CA15
, 4K030FA01
, 4K030JA06
, 4K030JA16
, 4K030LA01
, 4K030LA24
