特許
J-GLOBAL ID：200903098606729133

不揮発性半導体記憶装置および半導体集積回路装置

発明者：
山木 貴志

山木 貴志 について

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田中 利広

田中 利広 について

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品川 裕

品川 裕 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について

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株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-164700
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】メモリセルの書き換え耐性の向上、およびデータ読み出しの信頼性を大幅に向上する。【解決手段】フラッシュメモリには、ベリファイセンスアンプ回路7が設けられている。ベリファイセンスアンプ回路7は、電圧発生回路が生成したゲート電圧Vgiに応じてベリファイ時の判定電流を生成する。この判定電流は、読み出し動作時電流が流れたと判定できるメモリセルSのメモリ電流、および読み出し動作時電流が流れないと判定できるメモリセルSのメモリ電流とそれぞれ同じ程度の電流レベルである。それにより、読み出しに必要なメモリ電流をベリファイ動作において確保することにより、データ書き換えにより劣化したメモリセルSであってもデータ読み出しの信頼性を向上させることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ベリファイ時に、不揮発性メモリセルのしきい値電圧を判定する判定電流を生成するセンスアンプ部を備え、 前記センスアンプ部が生成する判定電流は、2つの電流レベルからなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (6件)：
G11C17/00 611A ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  G11C17/00 634D ,  G11C17/00 632Z ,  G11C17/00 612B
Fターム (31件)：
5B025AB02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP33 ,  5F083EP35 ,  5F083ER02 ,  5F083ER14 ,  5F083ER16 ,  5F083ER17 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083LA03 ,  5F101BA01 ,  5F101BA45 ,  5F101BA46 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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