特許
J-GLOBAL ID：200903098609122914
像担持体寿命検知方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
出願人/特許権者：
キヤノン株式会社
キヤノン株式会社 について
代理人 (1件)： 倉橋 暎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354690
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186972
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：
【要約】【課題】 帯電手段としてAC電圧とDC電圧を併用し、画像形成中に複数の帯電条件を備えた接触帯電を用い、記憶素子を備えたプロセスカートリッジにおいて、感光ドラムの正確な寿命検知を行なう。【解決手段】 バイアス印加条件nに基づき印加されている時間tnを検出し、検出された時間t1〜tnと、記憶素子30に記憶された係数k1、k2・・・knを用いて感光体のダメージ指数DをD=k1×t1+k2×t2・・・knの式から演算し、感光体ダメージ指数Dを寿命積算値Sに積算し、積算された積算値と予め定めておいた寿命情報Rとを比較し、この比較結果に基づき、積算された感光体ダメージ積算値Sが予め定めておいた感光ドラムの寿命とする積算時間以上であるとき、感光ドラムの寿命をユーザに警告あるいは表示する。
請求項（抜粋）：
少なくとも像担持体を含むプロセスカートリッジが着脱可能な画像形成装置における前記像担持体の寿命検知方法において、前記プロセスカートリッジは記憶手段を含み、前記像担持体に接触して作用する帯電手段が前記像担持体に印加する電圧は、DCバイアス成分及びACバイアス成分を含み、且つ画像形成動作中において、バイアス印加無し、DCバイアスのみ印加、DCバイアスにACバイアスを重畳したバイアスを印加、更にACバイアスの場合、電圧値、電流値、周波数に関してn種類(n≧2)のバイアス印加条件を持ち、前記画像形成装置の本体にて、前記バイアス印加条件nに基づき前記帯電手段にバイアスが印加されている時間tnを検出し、検出された時間t1、t2・・・tnと、前記記憶手段に記憶された係数k1、k2・・・knを用いて、前記像担持体のダメージ指数DをD=k1×t1+k2×t2+・・・+kn×tn(但し、k1>0、k2≧0、k3≧0、・・・、kn≧0)の式に基づき演算し、前記像担持体のダメージ指数Dを像担持体ダメージ積算値Sに積算し、積算された積算値Sと予め定められた前記像担持体の寿命情報Rとを比較することにより、前記像担持体の寿命を判断することを特徴とする像担持体寿命検知方法。
IPC (3件)：
FI (3件)：
引用特許：
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