特許
J-GLOBAL ID：200903098639740426

発光素子

発明者：
竹内 邦生

竹内 邦生 について

, 
冨永 浩司

冨永 浩司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 辰巳 忠宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-152301
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330559
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 発光素子全体に均一な発光強度が得られる発光素子を提供する。【解決手段】 透明基板12の一主面12a上に、n型GaNコンタクト層22、InGaN発光層24およびp型GaNコンタクト層26を含む半導体層14が形成される。透明基板12の側面の一部と半導体層14の側面とは、透明基板12の一主面12aに対して一定の角度を有する略面一な斜面20を形成する。p型GaNコンタクト層26上にはp側電極16が形成される。斜面20のうち透明基板12上およびn型GaNコンタクト層22上には、n側電極18が形成される。InGaN発光層24から発せられた光は、直接、またはp側電極16あるいはp側電極16およびn側電極18によって反射されて透明基板12側から出射される。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の一主面上に形成され少なくとも一導電型の半導体層および他の導電型の半導体層を前記透明基板側からこの順序で含む半導体層と、前記一導電型の半導体層に接続された第1電極と、前記他の導電型の半導体層上に形成された第2電極とを備える発光素子であって、前記透明基板の側面の一部と、前記一導電型の半導体層の側面のうち前記透明基板の側面に隣接する側面とが、前記一主面に対して一定の角度を有する略面一な斜面を形成し、前記第1電極は前記斜面上に形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 23/12 F
引用特許：
審査官引用 (3件)

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