特許
J-GLOBAL ID：200903098642223742
記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-295502
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108515
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】状態遷移閾値に非対称なヒステリシスループが生じている抵抗変化素子を用いた場合であっても、その抵抗変化素子からの情報読み出しにあたって、誤書き込みや記憶情報破壊等が生じることなく、しかもその情報読み出し時における安定性を十分に確保する。【解決手段】2つの電極11,12の間に記録層13を有してなり、前記電極11,12に極性の異なる電位を印加することにより前記記録層13の抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化素子において、状態遷移閾値の絶対値が高抵抗状態から低抵抗状態への変化時と前記低抵抗状態から前記高抵抗状態への変化時とで互いに異なる場合に、前記記録層13の抵抗値を検出するための読み出し信号を、前記状態遷移閾値の絶対値が大きいほうの極性で、かつ、当該絶対値よりも小さい値で印加する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
2つの電極の間に記録層を有してなる抵抗変化素子を備えた記憶装置であって、
前記抵抗変化素子は、
前記2つの電極に極性の異なる電位を印加することにより前記記録層の抵抗値が高抵抗状態または低抵抗状態に可逆的に変化するとともに、前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを遷移させるための印加信号の閾値の絶対値が前記高抵抗状態から前記低抵抗状態への変化時と前記低抵抗状態から前記高抵抗状態への変化時とで互いに異なり、
前記抵抗変化素子における前記記録層の抵抗値を検出するための読み出し信号が、前記印加信号の閾値の絶対値が大きいほうの極性で、かつ、当該絶対値よりも小さい値で印加される
ことを特徴とする記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 13/00
, H01L 27/10
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C13/00 A
, H01L27/10 451
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083JA02
, 5F083JA37
, 5F083JA60
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA20
