特許
J-GLOBAL ID:200903098660155240
自己組織化単分子膜(Self-AssembledMonolayers)の形成
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-370544
公開番号(公開出願番号):特開2002-327283
出願日: 2001年12月04日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 基板上に自己組織化単分子膜(SAM)を形成する方法およびこの種の単分子膜を含む製品を提供する。【解決手段】 半フッ化硫黄含有化合物、または半フッ化シラン誘導体および溶媒として圧縮二酸化炭素(CO2)を用いて自己組織化単分子膜(SAM)をつくる。形成中に、圧縮CO2の温度および/または圧力を変えて、単分子膜の分子充填密度を改良する。溶媒として圧縮(compressed)CO2を用いることにより、環境に対して好ましくない溶媒を用いることなく、分子充填密度の優れた単分子膜を比較的迅速につくることができる。
請求項(抜粋):
基板上に物質の自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayers)を形成する方法であって、前記物質の溶媒として圧縮二酸化炭素(compressedcarbon dioxide)を用い前記基板上に前記物質を堆積する方法。
IPC (4件):
C23C 26/00
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, B41J 2/16
FI (4件):
C23C 26/00 A
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, B41J 3/04 103 H
Fターム (15件):
2C057AF70
, 2C057AG68
, 2C057AP60
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K044AA02
, 4K044AA13
, 4K044AB10
, 4K044BA21
, 4K044BB01
, 4K044BC02
, 4K044CA16
, 4K044CA53
, 4K044CA60
引用特許:
引用文献:
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