特許

J-GLOBAL ID：200903098666412015

MEMS素子の製造方法

発明者： 石井 仁 ,  町田 克之 ,  佐藤 昇男 ,  千野 満 ,  田澤 浩
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  株式会社ミスズ工業
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-330363
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】製造コストの上昇を招くことなく、貼り合わせることでMEMS素子が形成できるようにする。【解決手段】転写板300の上に選択的に形成された導電性ペーストパターン601の一部を、電極基板120の支持部材125の上に転写することで、支持部材125の上に選択的に導電性ペーストからなるスペーサパターン801を形成し、ここに、ミラー基板100の枠部103aを接着する。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

電極基板の上に制御電極および導電性を有する支持部を形成する工程と、 ミラー基板に回動するミラーを形成する工程と、 前記支持部に対応する導電性ペーストのパターンを印刷法により転写板の上に形成する工程と、 前記転写板の前記パターンの形成面と前記電極基板の前記支持部の形成面とを対向させて互いに押し付け、前記パターンに前記支持部の上面を当接させ、前記パターンの一部を前記支持部の上面に転写し、前記支持部の上に前記導電性ペーストからなるスペーサパターンを形成する工程と、 前記ミラー基板を前記スペーサパターンにより前記支持部の上に接着し、前記電極基板と前記ミラー基板とを接合する工程と を少なくとも備えたことを特徴とするMEMS素子の製造方法。

IPC (2件)：

B81C1/00 ,  G02B26/08

FI (2件)：

B81C1/00 ,  G02B26/08 E

Fターム (6件)：

2H041AA14 ,  2H041AA16 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子源及び画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-346991   出願人：キヤノン株式会社
• 電子源基板および画像形成装置ならびにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-220894   出願人：キヤノン株式会社
• 電子源基板および画像形成装置ならびにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-257175   出願人：キヤノン株式会社
• 光学電子デバイスの接合方法及び接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-123728   出願人：株式会社リコー