特許

J-GLOBAL ID：200903098681480990

プラズマ処理装置

発明者： 石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034395
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223398
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 処理容器内に導入されたマイクロ波の電界分布を均一化させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波発生器60にて発生したマイクロ波を導波管62,66内に伝搬させてマイクロ波導入窓54より被処理体Wにプラズマ処理を施す処理容器16内へ導入するようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓は、これに導入される前記マイクロ波の面内電界強度分布と逆特性の透過率分布を有するように形成される。これにより、電界強度の大きいところは透過率を小さくして透過するマイクロ波の量を抑制し、逆に電界強度の小さいところは透過率を大きくして透過するマイクロ波の量をそれ程抑制せず、これにより全体として処理容器内の電界強度を均一化させる。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を導波管内に伝搬させてマイクロ波導入窓より被処理体にプラズマ処理を施す処理容器内へ導入するようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓は、これに導入される前記マイクロ波の面内電界強度分布と逆特性の透過率分布を有するように形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01P 1/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  H01P 1/08 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マイクロ波プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-132666   出願人：住友金属工業株式会社, ラムリサーチコーポレーション
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217287   出願人：株式会社ダイヘン
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-339519   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-245892   出願人：住友金属工業株式会社