特許

J-GLOBAL ID：200903098696252560

強誘電ランダムアクセスメモリーおよび高性能薄膜微小アクチュエーターにおいて有用であるA部位および/またはB部位変性PbZrTiO3材料および(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3フィルム

発明者： レーダー,ジェフリー アール. ,  チェン,イン-シン ,  ビロードー,スティーブン ,  バーム,トーマス エイチ.
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-532267
公開番号（公開出願番号）：特表2002-503768
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2002年02月05日
要約：

【要約】(i)Sr、Ca、BaおよびMgからなるA部位置換基、および(ii)NbおよびTaからなる群より選択されるB部位置換基からなる群より選択される置換基の存在によりその少なくとも一方が変性されている結晶格子A部位およびB部位をPbZrTiO3ペロブスカイト結晶材料が含んでいる変性PbZrTiO3ペロブスカイト結晶材料薄膜(16)。ペロブスカイト結晶薄膜材料は、薄膜の金属成分の有機金属前駆体から液体配達MOCVDにより形成することができ、PZTおよびPSZT、および他の圧電および強誘電薄膜材料が形成される。本発明の薄膜は、非揮発性強誘電記憶装置(NV-FeRAM)において、およびセンサーおよび/またはアクチュエーター要素、例えば、低入力水準を必要とする高速デジタル系アクチュエーター(10)としての微小電気化学系(MEMS)において有用である。

請求項（抜粋）：

(i)Sr、Ca、BaおよびMgからなるA部位置換基、および(ii)NbおよびTaからなる群より選択されるB部位置換基からなる群より選択される置換基の存在によりその少なくとも一方が変性されている結晶格子A部位およびB部位をPb(Zr,Ti)O3ペロブスカイト結晶材料が含んでおり、厚さが150nm未満である変性Pb(Zr,Ti)O3ペロブスカイト結晶材料薄膜であって、変性PZT付着方法は、溶液中に溶解された(β二ケトン酸)金属のような有機金属前駆体から、液体配達MOCVDにより薄膜の金属成分を付着させて薄膜を成長させるものである変性Pb(Zr,Ti)O3ペロブスカイト結晶材料薄膜。

IPC (7件)：

C23C 16/40 ,  B32B 9/00 ,  C07C 55/02 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/187

FI (7件)：

C23C 16/40 ,  B32B 9/00 A ,  C07C 55/02 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/18 101 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-260870
  
• 酸化物薄膜の製造装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053189   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-260870
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Direct liquid injection MOCVD of high quality PLZT films