半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269408
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】本発明は複数の半導体素子をスタックした構造を有した半導体装置及びその製造方法に関し、小型化を図りつつ、実装信頼性を向上し、かつ汎用性の高い半導体素子の使用を可能とすることを課題とする。【解決手段】第1及び第2の半導体素子22A と、第1の半導体素子22A 及び半田ボール24が配設される多層配線基板23と、第2の半導体素子22B を搭載すると共にこれを多層配線基板23に電気的に接続するインターポーザと、各半導体素子22A,22B を封止する封止樹脂25とにより半導体装置を構成する。また、インターポーザを、第2の半導体素子22B を搭載するステージ29A 及びこの第2の半導体素子22B が電気的に接続されるリード部30A を有したリードフレーム31A と、第2の半導体素子22B とリード部30A とを電気的に接続するワイヤ28B と、リード部30A と多層配線基板23とを電気的に接続するワイヤ28C とにより構成する。

請求項（抜粋）：

第1の半導体素子と、該第1の半導体素子を上面に搭載すると共に下面に外部接続端子が配設された多層配線基板と、第2の半導体素子と、該第2の半導体素子を前記第1の半導体素子上に離間した状態で重ね合わされるよう保持すると共に、前記第2の半導体素子と前記多層配線基板とを電気的に接続するインターポーザと、前記第1及び第2の半導体素子を封止するよう、かつ前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との離間部分に充填されるよう形成された封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165467 出願人：株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
特開平3-280495

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165467 出願人：株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
特開平3-280495
特開平3-280495

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