特許

J-GLOBAL ID：200903098747297288

N-チャネルトランジスタ

発明者： レイ-レイ チュア ,  ピーター キアン-ホーン ホ ,  リチャード ヘンリー フレンド
出願人/特許権者： ケンブリッジ エンタープライズ リミティド
代理人 (4件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎 ,  櫻井 智
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-548405
公開番号（公開出願番号）：特表2007-518259
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

電子親和力がEAsemicondである有機半導体層と、前記半導体層と界面を形成する有機ゲート誘電体層とを備えるn-チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタであって、前記ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度が1018cm-3未満であり、この場合、トラッピング基は(i)EAsemicond以上の電子親和力EAxおよび/または(ii)(EAsemicond-2eV)以上の反応性電子親和力EArxnを持つ基であることを特徴とする、n-チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタである。

請求項（抜粋）：

電子親和力がEAsemicondである有機半導体層と、前記半導体層と界面を形成する有機ゲート誘電体層とを備えるn-チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタであって、前記ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度が1018cm-3未満であり、この場合、トラッピング基は、(i)EAsemicond以上の電子親和力EAxおよび/または(ii)(EAsemicond.-2eV)以上の反応性電子親和力EArxnを持つ基であることを特徴とする、n-チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280

Fターム (23件)：

5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350697   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• NUTURE METERIALS, 20030921, V2, P678-682