特許

J-GLOBAL ID：200903098750107228

回路基板及びその製造方法

発明者： 宮井 明 ,  高城 東一 ,  広津留 秀樹 ,  中島 征彦
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096458
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283657
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】ヒートサイクル及びヒートショックに対する耐久性を一段と向上させたセラミックス基板に金属回路を形成させた回路基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】金属回路とセラミックス基板とが、セラミックス基板表面の少なくとも一部の面に、窒化珪素を主成分とする層を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回路基板、及びセラミックス生シートの表面の少なくとも一部の面に窒化珪素粉末又は窒化珪素の前駆体を塗布・焼結してセラミックス基板の表面の少なくとも一部の面に窒化珪素を主成分とする層を形成させた後、これと金属板とを接合してからエッチングして金属回路を形成させるか、もしくはこれと金属回路パターンとを接合して金属回路を形成させることを特徴とする回路基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

金属回路とセラミックス基板とが、セラミックス基板表面の少なくとも一部の面に、窒化珪素を主成分とする層を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回路基板。

IPC (7件)：

H01L 23/14 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/03 630 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/20 ,  H05K 3/38

FI (7件)：

H01L 23/14 M ,  C04B 37/02 A ,  H05K 1/02 F ,  H05K 1/03 630 J ,  H05K 3/06 A ,  H05K 3/20 Z ,  H05K 3/38 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-191349
  
• 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296737   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 特開平2-191349
  
• 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296737   出願人：株式会社東芝