特許
J-GLOBAL ID：200903098757219315
p形II-VI族化合物半導体用電極およびII-VI族化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038203
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ビルトイン電圧が低くかつ接触抵抗も小さいp形II-VI族化合物半導体用電極、および低駆動電圧で動作するII-VI族化合物半導体発光素子を実現することを目的とする。【構成】 p形II-VI族化合物半導体層の直上に、p形 III-V族化合物半導体層を介して金属電極13,14を形成する。また、p形 III-V族化合物半導体層として、InAlP9,InGaAlP,InGaP10,GaAs 11の内の少なくとも1層を用いる。また、p形 III-V族化合物半導体層として、InAlP,InGaAlP,InGaP,GaAsの内の2層以上を用い、かつp形II-VI族化合物半導体に対して価電子帯の不連続が連続的に小さくなる積層構造とする。
請求項（抜粋）：
亜鉛を含むp形II-VI族化合物半導体に形成される電極において、p形II-VI族化合物半導体層の直上に、p形 III-V族化合物半導体層を介して金属電極を形成したことを特徴とするp形II-VI族化合物半導体用電極。
IPC (2件)：
引用特許：
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