特許

J-GLOBAL ID：200903098762587730

結晶質第III族金属窒化物の高圧高温成長

発明者： デヴリン,マーク・フィリップ ,  ウェブ,スティーブン・ウィリアム ,  バガラリー,スレッシュ・シャンカラッパ ,  カジオグル,ヤヴス ,  パーク,ドン-シル ,  チェン,ゼン
出願人/特許権者： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
代理人 (4件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和 ,  黒川 俊久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-580614
公開番号（公開出願番号）：特表2005-521625
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

第III族金属窒化物の1以上の単結晶を形成する方法。この方法は、融剤物質106と、アルミニウム、インジウム及びガリウムからなる群から選択される1種以上の第III族金属を含む原料物質102とを反応容器100に供給する段階、反応容器100を密封する段階、並びに反応容器100を所定温度に加熱すると共に、所定圧力を該容器に加える段階を含んでいる。該圧力は、該温度での第III族金属窒化物の分解を抑制するのに十分なものである。この方法で形成される第III族金属窒化物、並びにかかる第III族金属窒化物を有する電子デバイスも開示される。

請求項（抜粋）：

第III族金属窒化物の1以上の単結晶を形成する方法であって、 アルミニウム、インジウム及びガリウムからなる群から選択される1種以上の第III族金属を含む原料物質102を、内室を有すると共に、窒素及びアンモニアに対して密封可能で化学的に不活性な反応容器100に供給する段階、 約30°Cで固体である融剤物質106を反応容器100に供給する段階、 反応容器100を密封する段階、 反応容器100を所定温度に加熱すると共に、該所定温度での第III族金属窒化物の分解を抑制するのに十分な所定圧力を該容器に加える段階、並びに 第III族金属窒化物の1以上の単結晶を形成する段階 を含んでなる方法。

IPC (2件)：

C30B29/38 ,  C30B9/06

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/06

Fターム (16件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CC01 ,  4G077CC02 ,  4G077EA01 ,  4G077EA06 ,  4G077EC02 ,  4G077EC05 ,  4G077EG01 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077LA01 ,  4G077LA03 ,  4G077LA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221628   出願人：日立電線株式会社