特許
J-GLOBAL ID：200903098764415979

強誘電体薄膜作製方法

発明者：
石橋 啓次

石橋 啓次 について


出願人/特許権者：
日電アネルバ株式会社

日電アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173626
公開番号（公開出願番号）：特開平7-003431
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月06日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体の結晶化温度以上で下地層を形成し、その上にPZT薄膜またはPLZT薄膜を形成することにより、リ-ク電流の少ない良好な強誘電体特性を得る。【構成】 Siウェーハ22上にSiO2層24を形成し、これらを650°Cに加熱してから、Ti層を厚さ30nm、Pt層を厚さ300nmだけ、スパッタリング法により順に堆積し、Pt-Ti合金層26を形成する。これにより、結晶粒間に隙間のない緻密なPt-Ti合金層26が得られた。その上に、スパッタリング法により基板温度650°Cで厚さ1000nmのPZT薄膜28を作製した。このPZT薄膜28は、下地のPt-Ti合金層26の結晶性を反映して、結晶粒間の密着性の良好な緻密な膜となり、従来方法に比べてリーク電流が少なくなった。
請求項（抜粋）：
基板に下地層を形成し、その上に強誘電体の薄膜を作製する方法において、前記強誘電体の結晶化温度以上で前記下地層を形成することを特徴とする強誘電体薄膜作製方法。
IPC (6件)：
C23C 14/06 ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/316 ,  H01B 17/62 ,  H01B 19/00 321
引用特許：
審査官引用 (3件)

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