特許
J-GLOBAL ID：200903098775439101
レジストパターンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135253
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326020
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 レジストの現像後に、ある種の薬剤でそのレジストを修飾することにより、ドライエッチング耐性を向上させる。【解決手段】 フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターN/(Nc-No)(ここにNは総原子数を表し、Nc は炭素原子数を表し、そしてNo は酸素原子数を表す)が4未満の基で修飾することにより、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造する。
請求項（抜粋）：
フェノール性水酸基、アルコール性水酸基およびカルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する樹脂を含有するレジスト膜に放射線を照射し、現像し、そして現像後のレジストパターンを、前記樹脂中の官能基に結合しうる基であって、炭素密度パラメーターN/(Nc-No)(ここにNは総原子数を表し、Nc は炭素原子数を表し、そしてNo は酸素原子数を表す)が4未満の基で修飾することを特徴とする、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 512
, G03F 7/039
, H01L 21/027
G03F 7/38 512
, G03F 7/039
, H01L 21/30 502 R
