特許
J-GLOBAL ID：200903098803639316
Si-O含有皮膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223289
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187640
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：
【要約】【目的】 エレクトロニクス基板上に、改善された性質、例えば安定な誘電率を有するSi-O含有セラミック皮膜を形成する。【構成】 ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂から誘導されたSi-O含有セラミック皮膜を水素ガスで処理する。
請求項（抜粋）：
次のことを含むエレクトロニクス基板上のSi-O含有皮膜の形成方法:エレクトロニクス基板上にハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を含む皮膜を塗布し;前記被覆されたエレクトロニクス基板を、前記ハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂をSi-O含有セラミック皮膜に変換するに充分な温度に加熱し;そして前記Si-O含有セラミック皮膜を、この皮膜をアニールするに充分な時間及び温度で水素ガス含有ガスアニール用雰囲気に曝す。
IPC (3件)：
C01B 33/00
, C04B 35/04
, H01L 21/316
