特許

J-GLOBAL ID：200903098804011108

フラッシュEEPROMアレイのクリーン・アップ方法

発明者： スティーブン・イー・ウェルズ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293829
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223591
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】フラッシュEEPROMアレイの各部分すなわち各ブロックで行なわれるスイッチング動作の回数の均等化を図る。【構成】 クリーン・アップの対象となるブロックの全ての有効データを他のブロックに書込み、それから、そのブロック全体を消去して、フラッシュEEPROMアレイクリーン・アップする方法において、各ブロックに含まれる無効セクタの数と、各ブロックが受けたスイッチング動作の数との比較に基いて、クリーン・アップするブロックを決定する。

請求項（抜粋）：

有効データおよび無効データが含まれるセクタとしてデータを格納するメモリ・セル・ブロックに分割されており、ブロック毎に消去可能であるフラッシュEEPROMアレイのクリーン・アップにおいて、全ての有効データをアレイの他のブロックに書込み、その後、そのブロック全体を消去して、フラッシュEEPROMアレイクリーン・アップする方法において、各ブロックに含まれる無効セクタの数と、各ブロックが受けたスイッチング動作の数との比較に基いて、クリーン・アップするブロックを決定する過程を有することを特徴とする、フラッシュEEPROMアレイをクリーン・アップする方法。

IPC (6件)：

G11C 16/06 ,  G06F 3/08 ,  G06F 12/16 310 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197318   出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン