特許

J-GLOBAL ID：200903098811181353

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山本 陽一 ,  於久 泰三 ,  青木 淳一 ,  衣川 貴志 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220233
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164342
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 塗布絶縁膜とその上面或いは下面を被覆する保護層とで構成される被覆絶縁膜において、又は塗布絶縁膜とそれらの上面及び下面を被覆する保護層とで構成される層間絶縁膜において、被覆絶縁膜又は層間絶縁膜全体として低誘電率化を図ることができ、水分やリーク電流等に対するバリア性がより完全で、かつ平坦性に優れた被覆絶縁膜又は層間絶縁膜を形成することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 塗布絶縁膜26が表面に形成された基板20を準備する工程と、Si-H結合を有するアルコキシ化合物、又はSi-H結合を有するシロキサンの何れか一と、O2、N2O、NO2、CO、CO2、又はH2Oの何れか一の酸素含有ガスとからなる第1の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、上記塗布絶縁膜26を被覆する保護層27を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。

請求項（抜粋）：

シリコン含有無機化合物又はシリコン含有有機化合物の何れか一を含む塗布液を塗布して塗布絶縁膜が表面に形成された基板を準備する工程と、Si-H結合を有するアルコキシ化合物、又はSi-H結合を有するシロキサンの何れか一と、O2、N2O、NO2、CO、CO2、又はH2Oの何れか一の酸素含有ガスとからなる第1の成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、前記塗布絶縁膜を被覆する保護層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/90 Q

Fターム (65件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030LA15 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-326816   出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006381   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所