特許
J-GLOBAL ID：200903098817970139

ラジカルセル装置およびII-VI族化合物半導体装置の製法

発明者：
岩田 拡也

岩田 拡也 について

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ポール・フォンス

ポール・フォンス について

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山田 昭政

山田 昭政 について

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松原 浩司

松原 浩司 について

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仁木 栄

仁木 栄 について

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中原 健

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出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 河村 洌 ,  河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075866
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 薄膜を形成する場合にも、Alを飛散して混入させないようにするラジカルセル装置を提供すると共に、ドーピングしないAlが含まれないで、組成の安定した薄膜を形成し得るII-VI族化合物半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 筒状絶縁体61aの両端部に閉塞蓋61b、61cが設けられ、内部でガス状物質をプラズマ化するプラズマ室61の、一方の閉塞蓋61bにガス状物質を導入するガス導入管62が挿入され、他方の閉塞蓋61cにプラズマ放射口61dが設けられている。そして、放射口61dから出射するプラズマ流63の近傍に、イオントラッパの高電界印加用電極64がプラズマ流63を挟んで接地電極65と対向するように設けられている。この高電界印加用電極64はMgOまたは石英からなる絶縁碍子66を介して他方の閉塞蓋61cのような設置金属に固定されている。
請求項（抜粋）：
筒状体の両端部に閉塞蓋が設けられ、内部でガス状物質をプラズマ化するプラズマ室と、前記閉塞蓋の一方に挿入され、ガス状物質を導入するガス導入管と、前記閉塞蓋の他方に設けられるプラズマ放射口と、該放射口から出射するプラズマの通路近傍に設けられるイオントラッパの高電界印加用電極とからなり、前記高電界印加用電極がMgOまたは石英からなる絶縁碍子を介して接地される金属板に固定されてなるラジカルセル装置。
IPC (4件)：
H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347
FI (4件)：
H01L 21/203 M ,  C30B 23/08 M ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347
Fターム (31件)：
4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EG30 ,  4G077HA02 ,  4G077SC12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041FF01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F103AA04 ,  5F103AA06 ,  5F103BB08 ,  5F103BB09 ,  5F103BB14 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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