成膜装置およびそれを用いた成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072821
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269643
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】スパッタ装置を用いて成膜を行う場合に、基板を高温に加熱せずに高結晶化を実現し、膜中への酸素などの反応ガスの取り込みを十分に行った反応スパッタを可能とし、ターゲット表面に酸化層が形成するのを防止可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】スパッタ法による成膜装置において、前記ターゲットと前記成膜基板との間に、電離エネルギー供給手段を配設し独立にエネルギーの供給を制御し得る電離エネルギー供給手段を配設して該部に制御可能なプラズマ領域を独立に形成させる。これにより、高結晶化された欠陥のない膜の形成、活性状態にある酸素などが十分取り込まれた電気特性の良好な膜の形成、スパッタ粒子のエネルギー分布の均一化などの効果が得られる。

請求項（抜粋）：

少なくとも成膜すべき膜の構成元素を含む材料からなるターゲット材と、成膜される基板を保持する基板保持部と、前記ターゲット材の表面から該ターゲット材の構成成分の粒子を放出させるエネルギー粒子供給手段とを有する成膜装置において、前記ターゲット材と前記基板保持部との間に、独立にエネルギーの供給を制御し得る電離エネルギー供給手段を配設してなることを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (2件)：

C23C 14/34 T , H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (14件)

高真空・高速イオン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199962 出願人：日本真空技術株式会社
特公平8-016266
特公昭55-027623

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