半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263665
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】半導体素子用の配線を二層構造にして配線面積を大きくしアクセス抵抗を低減させるとともに、余分なボンディングパッド面積を必要とせずにボンディングを行うことができるようにすることを目的とする。【構成】ソース領域(S)、ドレイン領域(D)がメッシュ状に配置された半導体基板上に絶縁膜を介して複数の第1ソース配線層1及び第1ドレイン配線層2を斜め配置し、さらに絶縁膜を介して第2ソース配線層3及び第2ドレイン配線層4を形成する。ここで、第2ソース配線層3及び第2ドレイン配線層4を複数の素子群を含んだ大きさ(セル領域上を2分割した面積)で形成し、この第2ソース配線層3及び第2ドレイン配線層4をワイヤボンディングする領域とした。

請求項（抜粋）：

第1種の素子要素領域と第2種の素子要素領域からなる素子が並列的に複数形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成され前記複数の素子における第1種、第2種の素子要素領域と電気的に接続される上下二層の配線層とを備えた半導体装置において、前記複数の素子が形成されている領域上において第1群および第2群として割り当てられる複数の素子を包含する面積を有して複数に分割したそれぞれの領域に、前記複数の素子における第1種の素子要素領域と電気的に接続される第1種の上層配線層と、前記複数の素子における第2種の素子要素領域と電気的に接続される第2種の上層配線層を、前記上層の配線層として形成し、それぞれの配線層をボンディング領域としたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-268467
特開平2-268467
特開平3-239369

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