特許
J-GLOBAL ID：200903098820154695
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-110502
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 光変調器を光導波路層と分離して形成できるようにする。【構成】 半絶縁性のGaAs半導体基板1上に、GaAsおよびAlGaAsの各層からなる光導波路層2を形成し、この上にシリコンのδドープ層を含んだ電極層4を形成し、さらに二重量子井戸構造を有する光変調器層3を形成する。光変調器層3には電極層4と上部に形成した電極5との間に電圧を印加することで直接給電できる。光導波路層2中を伝播する光は光変調器層3下部に達するとエバネッセント効果により光変調器層3中に導入され、ここで光吸収係数の変化あるいは屈折率の変化による光変調作用を受け、再び光導波路層2中に導入されるようになり、もって光変調動作を行うことができる。他の光半導体素子を形成して光導波路層2を共通に使用する構成とした光ICを形成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された光導波路層と、この光導波路層の光伝播方向に所定長さ寸法に渡って沿うように配置形成された光半導体素子とを具備してなる光半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/025
, G02F 1/35
, H01L 27/15
