特許

J-GLOBAL ID：200903098841928275

3-レベル不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリ装置の駆動方法およびその方法を使用する不揮発性メモリ装置

発明者： 李 光振 ,  金 杜應 ,  趙 佑榮
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208668
公開番号（公開出願番号）：特開2009-048757
出願日： 2008年08月13日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】3-レベル不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリ装置の駆動方法およびその方法を使用する不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】3-レベル不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリ装置の駆動方法は第1不揮発性メモリセル、第2不揮発性メモリセル、及び第3不揮発性メモリセルを含み、各不揮発性メモリセルは第1データ、第2データ、及び第3データのうち一つを保存することができ、第1データ、第2データ、及び第3データは各々互いに異なる第1抵抗レベルL1、第2抵抗レベルL2、及び第3抵抗レベルL3に対応するメモリセルアレイを提供し、ライト動作の第1区間のあいだ、第1不揮発性メモリセルに第1データをライトし、第3不揮発性メモリセルに第3データをライトし、ライト動作の第2区間のあいだ、第2不揮発性メモリセルに第2データをライトすることを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1不揮発性メモリセル、第2不揮発性メモリセル、及び第3不揮発性メモリセルを含み、当該第1不揮発性メモリセル、第2不揮発性メモリセルおよび第3不揮発性メモリセルは第1データ、第2データ、及び第3データのうち一つを保存することができ、前記第1データ、前記第2データ、及び前記第3データは各々互いに異なる第1抵抗レベル、第2抵抗レベル、及び第3抵抗レベルに対応するメモリセルアレイを提供する段階と、 ライト動作の第1区間のあいだ、前記第1不揮発性メモリセルに前記第1データをライトする段階と、前記第3不揮発性メモリセルに前記第3データをライトする段階と、 ライト動作の第2区間のあいだ、前記第2不揮発性メモリセルに前記第2データをライトする段階と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の駆動方法。

IPC (2件)：

G11C 13/00 ,  G11C 16/02

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  G11C17/00 641

Fターム (10件)：

5B125BA17 ,  5B125BA19 ,  5B125CA06 ,  5B125DA09 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125DE13 ,  5B125EE10 ,  5B125EJ03 ,  5B125FA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-177503   出願人：シャープ株式会社