特許

J-GLOBAL ID：200903098842533860

無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材

発明者： 平松 和政 ,  只友 一行 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350701
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326912
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 厚膜のGaN半導体材料の成長が可能で、しかも転位欠陥を内包しない無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材を提供すること。【解決手段】 ベース基板1の表面を、それ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料からなる第一のマスク層2で部分的に覆い、次いでベース基板表面の非マスク部11を出発点として第一のマスク層2上を覆うまで第一のGaN層3を成長させてGaN母材Mを得る。このGaN母材M表面を前記の工程におけるベース基板1表面とみなして、同様に第二のマスク層21を形成し、さらに第二のGaN層31の成長を行なう。ここで第二のマスク層21は非マスク部11上を覆うように形成する。これにより、第二のGaN層31を無転位の半導体層と出来る。

請求項（抜粋）：

ベース基板の表面を、それ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料からなるマスク層で部分的に覆い、次いでベース基板表面の非マスク部を出発点として前記マスク層上を覆うまでGaN層を成長させてGaN母材を得る第一の工程と、該GaN母材表面を前記第一の工程におけるベース基板表面とみなして、同様にマスク層形成及びGaN層の成長を行う第二の工程とからなることを特徴とする無転位GaN基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-303920
  
• 特開平3-133182
  
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社