特許

J-GLOBAL ID：200903098843580012

窒化ケイ素質焼結体および窒化ケイ素質焼結体の製造方法、並びにそれを用いた回路基板

発明者： 今村 寿之 ,  川田 常弘 ,  祖父江 昌久
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313079
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】 高強度と高靭性に加えて高い熱伝導率を具備した窒化ケイ素質焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化ケイ素粒子内に、MgあるいはLa,Y,Gd及びYbからなる群から選ばれた少なくとも1種の希土類元素と、O元素とから構成され、核とその周辺部が非晶質相である粒径100nm以下の微細粒子が5個/μm2以上存在する窒化ケイ素質焼結体である。また、β分率が30〜100%であり、酸素含有量が0.5wt%以下、平均粒子径が0.2〜10μm、アスペクト比が10以下である窒化ケイ素質粉末1〜50重量部と、平均粒子径が0.2〜4μmのα型窒化ケイ素粉末99〜50重量部と、Mgと、Y及び希土類元素(RE)からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素とを含む焼結助剤とを配合し、0.5MPaの窒素雰囲気にて1400°C〜1600°Cの温度で1〜10時間保持した後、5.0°C/min以下の昇温速度で1800°C〜1950°Cにして5〜40時間焼結する製造方法である。

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素粒子内に、MgあるいはY及び希土類元素(RE)からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素と、O元素とを含む粒径100nm以下の微細粒子が存在することを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。

FI (2件)：

C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 T

Fターム (20件)：

4G001BA06 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA10 ,  4G001BA32 ,  4G001BB06 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB10 ,  4G001BB32 ,  4G001BC13 ,  4G001BC51 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD13 ,  4G001BD23 ,  4G001BE02 ,  4G001BE03 ,  4G001BE32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化ケイ素質粉末、窒化ケイ素質粉末の製造方法、窒化ケイ素質焼結体、窒化ケイ素質焼結体の製造方法および回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-284957   出願人：日立金属株式会社