製造中半導体チップの欠陥を調べる検査装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288319
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121572
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】ウエハの欠陥を検査するときに、不均一な帯電による影響を除き、誤検出を防ぐことができる欠陥検査装置を提供する。【解決手段】検査対象のウエハを荷電粒子で走査する走査部(線源1、駆動コイル2、スキャンジェネレータ3、ステージ7)と、該走査部による走査で発生する、前記ウエハからの二次粒子を検出し、該二次粒子の強度分布により該ウエハのチップの画像を生成する検出部(制御部4、検出器6)と、該検出部から受け取った画像を用いて、しきい値を決める決定処理と、該しきい値を基準にして該画像の各画素の強度を調べることにより、前記チップの欠陥を検出する検出処理とを行う画像処理部5とを備えてなる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハから切り出される前の製造工程中にある半導体チップを荷電粒子で走査する走査部と、該走査部による走査で発生する、前記半導体ウェハからの二次粒子を検出し、検出された二次粒子の強度分布により該半導体ウェハのチップの画像を生成する検出部と、該検出部から受け取った画像を用いて、しきい値を決める決定処理と、該しきい値を基準にして該画像の各画素の強度を調べることにより、前記チップの欠陥を検出する検出処理とを行う処理部とを備えてなることを特徴とする製造中半導体チップの欠陥を調べる検査装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 23/225 , H01J 37/22 502

FI (3件)：

H01L 21/66 N , G01N 23/225 , H01J 37/22 502 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-078099 出願人：日本電気株式会社
特開昭64-057634
特開昭63-126242

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