特許
J-GLOBAL ID：200903098880060991
不揮発性半導体記憶装置およびデータ書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061444
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251786
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 カラム系回路の回路規模を小さくして、高集積化に適した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 多値のデータをメモリセルトランジスタMに書き込むとき、多値のデータそれぞれに応じたビット線書き込み電位の一つをビット線BLに充電し、充電した後、ビット線BLを電気的にフローティングな状態にするビット線プリチャージ回路8と、ビット線BLの電位を、ビット線BLの充電量を増加させる、減少させる、維持させるのいずれかの状態をとることによって、多値のデータに応じて設定される、ビット線書き込み制御電位にするデータ制御回路10-1〜10-3とを具備する。
請求項（抜粋）：
多値のデータをメモリセルに書き込むとき、多値のデータそれぞれに応じたビット線書き込み電位の一つをビット線に充電し、充電した後、ビット線を電気的にフローティングな状態にする手段と、ビット線の電位を、前記ビット線の充電量を増加させる、減少させる、維持させるのいずれかの状態をとることによって、多値のデータに応じて設定される、ビット線書き込み制御電位にする手段とを具備すること特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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