特許
J-GLOBAL ID：200903098892700538
カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜付SiC基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059295
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255526
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】【課題】 多結晶質SiC、多孔質SiC及びSiCウィスカーから製造され、大面積で且つ所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、及び所定方向に配向するカーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜付SiC基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本カーボンナノチューブ膜は、真空下でSiCからなる多結晶質又は多孔質焼結体を、真空の真空度においてSiCが分解して焼結体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、SiCから珪素原子を除去して、焼結体の表面に形成され、且つ所定の方向に配向したカーボンナノチューブからなる。また、本カーボンナノチューブ2は、SiCウィスカー3の先端に、ウィスカーの延長線方向に形成される。
請求項（抜粋）：
真空下でSiCからなる多結晶質焼結体を、該真空の真空度においてSiCが分解して該多結晶質焼結体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、SiCから珪素原子を除去して、該多結晶質焼結体の表面に形成され、且つ所定方向に配向する多数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするカーボンナノチューブ膜。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C04B 41/80
C01B 31/02 101 F
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C04B 41/80 Z
4G046CA00
, 4G046CB03
, 4G046CC02
, 4G046CC03
