特許
J-GLOBAL ID：200903098903015620

固体撮像装置

発明者：
穂苅 泰明

穂苅 泰明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161958
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 固体撮像装置のスミア電荷を抑制するとともに、光電変換効率を向上する。【構成】 フォトダイオードとなるN型不純物領域が、濃度が低くかつ深い位置に形成された第1の不純物領域131と、これよりも濃度が高くかつ浅い位置に形成された第2の不純物領域132とから構成され、前記第1の不純物領域131が素子を分離するべく設けられたP型不純物領域24の底部に、およびフォトダイオードから電荷を読出すトランジスタのゲート領域26の底部に延在して設ける。また不純物領域131の不純物濃度は132よりも薄く設けられる。
請求項（抜粋）：
フォトダイオードとなる第1の導電型の不純物領域が、濃度が低くかつ深い位置に形成された第1の不純物領域と、これよりも濃度が高くかつ浅い位置に形成された第2の不純物領域とから構成され、前記第1の不純物領域が素子を分離するべく設けられた第2の導電型の不純物領域の底部に、およびフォトダイオードから電荷を読出すトランジスタのゲート領域の底部に延在して設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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