特許

J-GLOBAL ID：200903098966876463

パターン形成方法

発明者： 和田 保 ,  梁井 健一 ,  田中 勉 ,  沖 賢一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-202146
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 パターン形成方法に関し, パターンの側面を連続的にテーパ形状にして,例えば, 透明電極膜の被覆性を向上して薄膜トランジスタマトリクス基板の製造歩留と信頼性を向上することを目的とする。【構成】 1)基板上に使用するエッチャントに対してエッチングレートの異なる物質を厚み方向に存在比を変え且つエッチングレートの大きい物質の存在比が表面に向かって大きくなるようにこれらの物質からなる混合膜を堆積する工程と, 該混合膜を前記エッチャントを用いてパターニングするように構成する。2)前記エッチャントが少なくともりん酸と硝酸の混合液であって, りん酸に対し硝酸を重量比で 1/300以上を含み,前記エッチングレートの異なる物質がAlとMoであり,厚み方向の存在比が基板側でAl大きく, 表面側でMoが大きいようにこうせいする。

請求項（抜粋）：

基板上に, 使用するエッチャントに対してエッチングレートの異なる物質を厚み方向に存在比を変え且つエッチングレートの大きい物質の存在比が表面に向かって大きくなるようにこれらの物質からなる混合膜を堆積する工程と,該混合膜を前記エッチャントを用いてパターニングすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 29/78 311 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-316024
  
• 特開平3-036769
  
• ウェットエッチングのテーパー制御方法及びそれを用いたMIM素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284635   出願人：セイコーエプソン株式会社