半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012483
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220482
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】強誘電体膜を電荷の蓄積キャパシタに用いた半導体記憶装置において、低消費電流、高速動作を実現する回路方式である。【構成】 1本のワード線WL1または同WL2に接続された複数個のメモリセル群を任意の個数に分割し、分割されたメモリセル51,53または同52,54は1本の分割セルプレート線DCP1または同DCP2を共有し、分割セルプレート線は選択トランジスタT1または同T2を介してセルプレート線CPに接続し、選択トランジスタT1または同T2のゲートは前記ワード線WL1または同WL2により制御され、読み書き動作時に必要なセルプレートだけが選択的に駆動される。これにより負荷容量が低減し、低消費電流、高速動作を実現する。

請求項（抜粋）：

少なくとも強誘電体膜で形成されたキャパシタをもつ複数個のメモリセルが共通の分割セルプレート線に接続され、前記分割セルプレート線はトランジスタを介してセルプレート線に接続されたメモリセル群を形成していることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 14/00 , G11C 11/22 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

FI (2件)：

G11C 11/34 352 A , H01L 27/10 325 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-283489
特開平4-153992
特開平4-295690

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