半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：白井重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064688
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨(CMP)後に、半導体基板などの半導体部品上に残った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物を提供すること。【解決手段】スルホン酸(塩)基を有する単量体、カルボン酸(塩)基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも1種の単量体、ならびに窒素原子を有する単量体からなる単量体成分を共重合してなる共重合体(塩)を主成分とする半導体部品用洗浄剤、ならびに、上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有する研磨用組成物。

請求項（抜粋）：

(a)スルホン酸(塩)基を有する単量体、カルボン酸(塩)基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも1種の単量体、ならびに(b)窒素原子を有する単量体、からなる単量体成分を共重合してなる共重合体(塩)を主成分とする半導体部品用洗浄剤。

IPC (5件)：

C11D 7/32 , C11D 3/14 , C11D 3/37 , C11D 7/34 , H01L 21/304 647

FI (5件)：

C11D 7/32 , C11D 3/14 , C11D 3/37 , C11D 7/34 , H01L 21/304 647 A

Fターム (13件)：

4H003AB03 , 4H003AB46 , 4H003AE05 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DA16 , 4H003DB01 , 4H003EB28 , 4H003EB30 , 4H003ED02 , 4H003ED29 , 4H003FA03 , 4H003FA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

アルカリ洗浄剤用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-208555 出願人：東亞合成化学工業株式会社
半導体基板の洗浄液
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-008702 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
籾すり精米機
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221689 出願人：株式会社細川製作所

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