特許
J-GLOBAL ID：200903098997078786

多層光起電力素子または光導電素子とその製造方法

発明者：
ペトリッシュ、クラウス

ペトリッシュ、クラウス について

, 
グランストロム、マグナス

グランストロム、マグナス について


出願人/特許権者：
ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド

ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド について


代理人 (1件)： 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-538395
公開番号（公開出願番号）：特表2002-508599
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：
【要約】本発明は光学的に吸収性を有する光電素子、特に、光起電力性素子および光導電素子に関する。特に、多数の半導電層、例えば、有機半導電性ポリマーから形成された素子に関する。このような素子は、2つの中心的な第1および第2半導電層を有する。2層は、該2層の間に混合層を形成するために互いに積層される。この際、混合層の両側には、各層の少なくとも幾分かが残存する。
請求項（抜粋）：
第1電極と主に第1半導電材料を含有する第1半導電層とを具備する第1部品と、第2電極と主に第2半導電材料を含有する第2半導電層とを具備する第2部品とを互いに積層することを有する光起電力素子または光導電素子の製造方法であって、 積層工程が、前記第1半導電層と前記第2半導電層とを制御しながら互いに接合することと、 前記第1半導電層に比して相対的に少ない前記第1半導電材料と、前記第2半導電層に比して相対的に少ない前記第2半導電材料とを有する混合層を形成し、その一方で肉厚の減少した前記第1および第2半導電層を残存させることと、 を有することを特徴とする光起電力素子または光導電素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01L 31/10 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L 49/00 ,  H01L 31/08 T ,  H01L 31/10 A
Fターム (8件)：
5F049MB08 ,  5F049NA08 ,  5F049NB10 ,  5F049PA20 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088BA18 ,  5F088BB05
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 光起電力素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-333091   出願人：日本石油株式会社
  • 光応答性装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-516716   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
引用文献：
審査官引用 (6件)
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