特許
J-GLOBAL ID:200903099017830610
グラウンドポテンシャルに接続されていないソース又はドレーンを有するHVp-チャンネル及びn-チャンネルデバイスを含む薄いエピタキシャルRESURF集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 浩之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-134380
公開番号(公開出願番号):特開平8-330444
出願日: 1996年05月01日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【目的】 トランジスタのソース又はドレーンがグラウンドポテンシャルに接続されずに動作するときに、比較的高電圧に耐えられるようにした集積回路を提供する。【構成】 ボディ領域(pBODY)の下の投影された箇所に少なくとも存在し、エピタキシャル層(N-EPI)の濃度及びウェル領域(NWELL)の中間のドーパント濃度を有する第1のタイプの導電性(n)の埋設層(SOFT-N)を含む集積回路。
請求項(抜粋):
シグナルプロセシング用のバイポーラ及びCMOSデバイスとともに高電圧用のn-チャンネルLDMOS及びp-チャンネルMOSデバイスを含む、第2のタイプの導電性の基板上に成長した第1のタイプの導電性の比較的薄いエピタキシャル層中に形成されたBiCMOS集積回路において、これらの高電圧デバイスが、デバイスのボディ領域の下の投影された箇所に少なくとも存在し、かつ前記エピタキシャル層の濃度及び、前記ボディ領域内のデバイスのソース又はドレーン領域の濃度の間の中間のドーパント濃度を有する前記第1のタイプの埋設層を含んで成ることを特徴とする集積回路。
IPC (3件):
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
FI (2件):
H01L 27/08 321 B
, H01L 29/78 301 S
引用特許:
出願人引用 (12件)
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特開昭61-088553
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特開昭57-106165
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041800
出願人:株式会社東芝
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特開昭58-016572
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特開昭59-132672
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特開平3-286562
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特開平2-276271
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特開平3-021055
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特開平2-112270
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特開平3-126256
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-141573
出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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特開平4-188768
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審査官引用 (12件)
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特開昭61-088553
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特開平3-286562
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特開昭57-106165
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特開平2-276271
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特開平3-021055
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特開平2-112270
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特開平3-126256
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-141573
出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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特開平4-188768
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041800
出願人:株式会社東芝
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特開昭58-016572
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特開昭59-132672
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