超磁歪材料

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小松秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-054086
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：

【要約】【課題】室温近傍で従来までの磁歪効果を越えるような大きな磁歪を有し、かつ等方的な磁歪を有する超磁歪材料を提供する。【解決手段】一般式:La(Fe1-XAX)13(ただし、AはAl,Si,Ga,Ge,Snのうち少なくとも1種の元素、0.05≦x≦0.2)、あるいはAの一部(0.1より小)をTM〔遷移金属元素(Co,Ni,Cu)〕で置換したもの、あるいはこれらのLaの一部(0.1以下)をRE(Laを除く希土類元素)で置換したもので、ミクロンオーダーの微小変位制御駆動部、強力音波発生用振動子、センサ等の構成材料として有用である。

請求項（抜粋）：

一般式:La(Fe1-XAX)13(ただし、AはAl,Si,Ga,Ge,Snのうち少なくとも1種の元素、xは原子比で0.05≦x≦0.2)で示される組成からなることを特徴とする超磁歪材料。

IPC (2件)：

C22C 38/00 303 , H01L 41/20

FI (2件)：

C22C 38/00 303 Z , H01L 41/20

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭59-145761
特開昭53-064798
特開昭58-003294

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審査官引用 (9件)

特開昭59-145761
特開昭53-064798
特開昭58-003294

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