特許

J-GLOBAL ID：200903099032768468

半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器

発明者： 岩田 浩 ,  柴田 晃秀
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375166
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179156
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低電源電圧で低リーク電流を維持しながら大きな駆動電流を得られるDTMOSの実現は困難であった。【解決手段】 ウェル領域内にイオン種を注入することにより非晶質化された領域を形成し、上記非晶質化された領域に上記ハロゲン原子を導入する。その後、非晶質化された領域に第1導電型を与える不純物を導入し、さらに非晶質化された領域を再結晶化させるための熱工程を行なう。そのため、動的閾値トランジスタのチャネル領域の直下には不純物濃度の薄い領域138を形成し、さらにその下には不純物濃度が濃い領域126を形成することができる。不純物濃度の薄い領域138は、その厚さが通常の不純物プロファイルをもつ動的閾値トランジスタ(DTMOS)で形成されるゲート空乏層幅より薄くすることができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極と第1導電型の半導体からなるウェル領域とが電気的に接続された動的閾値トランジスタを備えた半導体装置を形成する方法において、上記第1導電型の半導体からなるウェル領域に、上記半導体にイオン種を注入して、上記第1導電型の半導体からなるウェル領域の上層部に非晶質化された領域を形成する工程と、上記非晶質化された領域にハロゲン原子を導入する工程と、上記ハロゲン原子を導入する工程の後に上記非晶質化された領域に第1導電型を与える不純物を導入する工程と、上記第1導電型を与える不純物を導入する工程の後に上記非晶質化された領域を再結晶化させるための熱工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/10 381

Fターム (19件)：

5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB14 ,  5F048BD04 ,  5F048BD05 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F083BS02 ,  5F083BS14 ,  5F083BS27 ,  5F083GA06 ,  5F083NA01 ,  5F083PR25 ,  5F083PR36

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-324465   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-205016