レジストパターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254494
公開番号（公開出願番号）：特開2006-071913
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 deepUV光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜の表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、前記レジスト膜のシリル化されたポリマー層にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、前記レジスト膜を現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、シリル化されたポリマー層が残存する未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/38 , G03F 7/039 , G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/38 501 , G03F7/38 511 , G03F7/039 601 , G03F7/40 521 , H01L21/30 565 , H01L21/30 502R

Fターム (27件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA03 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096FA03 , 2H096FA04 , 2H096GA08 , 2H096HA24 , 5F046JA22

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第2549317号

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