特許

J-GLOBAL ID：200903099091992851

電極へのフラックス転写方法、バンプの製造方法およびこれらの製造装置

発明者： 下川 健二 ,  橋野 英児 ,  巽 宏平
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 田村 弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181004
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082719
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 低融点金属あるいは合金よりなる微細金属ボールを用いて基板電極に接続接点(バンプ)を形成する際、その電極部分のみにフラックスを転写し加熱溶融時のボールの流れ落ちを防止する。【解決手段】 電極に対応する突起を有する転写基板の突起先端部分をフラックス浴に浸し、フラックスを先端部に付着させ、転写対象の電極にそのフラックスを転写する。このフラックスを転写した電極に低融点金属あるいは合金よりなる微細金属バンプを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ、フィルムキャリア、あるいは基板の電極に、フラックスを転写装置により転写する方法であって、前記転写装置を構成する転写基板は前記電極に対応する突起を有し、前記転写基板の突起の先端部分をフラックス浴に浸して、フラックスを前記先端部に付着させ、しかる後、前記転写基板の突起と前記電極の位置合わせを行い、しかる後、前記付着させたフラックスを前記電極に転写することを特徴とする電極へのフラックスの転写方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01R 43/00 ,  H05K 3/34 503 ,  H05K 3/34 505

FI (6件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01R 43/00 H ,  H05K 3/34 503 A ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 604 Z ,  H01L 21/92 604 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-065130
  
• 半田ボールの搭載装置および搭載方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019335   出願人：松下電器産業株式会社
• 半田ボールの搭載方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113267   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-065130