特許
J-GLOBAL ID：200903099092452320
超電導層及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059398
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257259
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】TFA-MOD法により臨界電流値が高い超電導層を製造可能とすること。【解決手段】本発明の超電導層の製造方法は、イットリウム及びランタノイドからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属とバリウムと銅とのトリフルオロ酢酸塩を溶媒中に溶解させてコーティング溶液を調製する工程と、前記コーティング溶液を基板の一主面上に塗布して塗膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で前記塗膜を仮焼成する工程と、水蒸気を含んだ雰囲気中で及び前記仮焼成よりも高い温度で前記仮焼成後の前記塗膜を本焼成する工程とを含み、前記仮焼成後であり且つ前記本焼成前の前記塗膜に含まれる酸化銅粒子の平均粒径が25nm以下となるように前記仮焼成を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に設けられた超電導層であって、イットリウム及びランタノイドからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属とバリウムと銅と酸素とを含有した酸化物超電導体を含み、前記主面からの距離が50nm以上であり且つ前記超電導層の厚さの70%以下の範囲内にある前記主面に平行な前記超電導層のいずれかの断面を観察した場合に酸化銅粒子断面の前記超電導層の断面に対する面積比が1/100以下であることを特徴とする超電導層。
IPC (3件)：
H01B 12/06
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
4M113AD36
, 4M113BA23
, 4M113BA29
, 4M113CA34
, 5G321AA04
, 5G321BA03
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321DB22
, 5G321DB25
, 5G321DB46
, 5G321DB47
