特許

J-GLOBAL ID：200903099101312137

半導体装置

発明者： 今井 清隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224841
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068108
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 基板バイアス発生回路を新たに設置することなく、SOI構造の素子基板に形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタのしきい値電圧を適切な値に設定することのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】 NチャネルMOSFET20領域及びPチャネルMOSFET30領域に対向したシリコン基板10領域に、両MOSFET共通の高濃度不純物拡散領域31を配置し、シリコン基板10には正の極性をもつ電源電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁体層を介して形成された複数の単結晶半導体層に、NチャネルMOSFET及びPチャネルMOSFETを形成してなる半導体装置において、前記NチャネルMOSFET領域及びPチャネルMOSFET領域に対向した前記半導体基板に、両MOSFET共通の電極を配置し、該電極には正の極性をもつバイアス電圧を印加したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 331

FI (5件)：

H01L 29/78 613 A ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 626 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-359470
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-152365   出願人：日本電装株式会社
• 特開平3-272176
  
• 特開平4-116983