特許

J-GLOBAL ID：200903099142635846

薄膜積層電極及びその製造方法

発明者： 後藤 義彦 ,  小林 真人 ,  吉野 幸夫 ,  片山 祐三
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-239125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064609
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 誘電体基板と導体薄膜、あるいは導体薄膜と誘電体薄膜の密着強度が大きく、信頼性の高い薄膜積層電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体基板1とその上に形成される導体薄膜3の界面、及び導体薄膜3と誘電体薄膜4の界面のうちの一つ以上に密着強度の大きい接着層5を介在させる。また、接着層5の構成材料として、Ti、Cr、Ni、及びそれらの少なくとも1種を含む合金の少なくとも1種を用いる。また、接着層5の厚みが20nm以上とする。さらに、導体薄膜3、接着層5及び誘電体薄膜4を、途中で真空を破ることなく、連続的に真空下で成膜する。

請求項（抜粋）：

誘電体基板上に、導体薄膜、誘電体薄膜を交互に積層してなる薄膜積層電極であって、誘電体基板とその上に形成される導体薄膜の界面、及び導体薄膜と誘電体薄膜の界面のうちの一つ以上に密着強度の大きい接着層を介在させたことを特徴とする薄膜積層電極。

IPC (8件)：

H01P 3/18 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  H01P 1/203 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ,  H01P 11/00 ,  C23C 14/34

FI (8件)：

H01P 3/18 ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/08 N ,  H01P 1/203 ,  H01P 3/08 ,  H01P 7/08 ,  H01P 11/00 G ,  C23C 14/34 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• チップ型電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207533   出願人：株式会社村田製作所