半導体用パッケージ及び半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：田澤博昭 , 加藤公延 , 田澤英昭 , 濱田初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-427766
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191088
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】安価な導電性ケースを用い、信頼性が確立された実用的な信号ピンの直径と貫通穴の直径の範囲内の構成を有し、外部基板との接続が容易で且つ高周波伝送特性が良好で10Gビット/秒以上の高速動作を可能とする半導体用パッケージを提供する。【解決手段】整合すべき特性インピーダンスより低い特性インピーダンスを有するフィードスルー部と、このフィードスルー部にパッケージ内外からそれぞれ電気的に接続し、上記フィードスルー部より高い特性インピーダンスを有する、空走部A及び高インピーダンス部分52dからなる信号線を備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

パッケージ筐体を貫通して外部からの高周波信号を内部に伝送する高周波伝送線路を有する半導体用パッケージにおいて、上記高周波伝送路は、パッケージ外部との隔壁部に設けられ、外部からの上記高周波信号を内部に伝する際に整合させるべき特性インピーダンスより低い特性インピーダンスを有する第1伝送線路部と、パッケージ外部に設けられ、上記第1伝送線路部と電気的に接続して、当該第1伝送線路部より高い特性インピーダンスを有する第2伝送線路部と、パッケージ内部に設けられ、上記第1伝送線路部と電気的に接続して当該第1伝送線路部より高い特性インピーダンスを有する第3伝送線路部とからなることを特徴とする半導体用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L23/02 , H01L23/04 , H01S5/022

FI (5件)：

H01L23/02 F , H01L23/02 D , H01L23/02 H , H01L23/04 A , H01S5/022

Fターム (7件)：

5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073EA14 , 5F073FA02 , 5F073FA06 , 5F073FA28 , 5F073FA30

引用特許：

出願人引用 (4件)

レーザモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-033320 出願人：住友電気工業株式会社
高速動作可能な光デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029684 出願人：富士通株式会社
高周波モジュールデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-354708 出願人：シャープ株式会社

全件表示

前のページに戻る