特許

J-GLOBAL ID：200903099186993014

接合型電界効果半導体装置およびその製造方法

発明者： 大野 俊之 ,  川瀬 大助 ,  岩崎 貴之 ,  八尾 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330084
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172187
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】SiC電界効果半導体装置のリーク電流を低減し信頼性を向上する。【解決手段】半導体装置の主表面を{0001}面またはこれと等価な面に平行にして、かつpn接合が形成される溝部の側壁面が{1-100}面またはこれと等価な面に平行になるように構成する。【効果】溝部のpn接合面における結晶のポリタイプが一致するのでリーク電流の要因となる欠陥が低減する。

請求項（抜粋）：

六方晶の炭化珪素単結晶の{0001}面またはこれと等価な面を主表面とし、この主表面に溝部が形成され、溝部の側壁が炭化珪素単結晶の結晶学的面指数{1-100}面またはこれと等価な面に平行であることを特徴とする接合型電界効果半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/04

FI (4件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/04