特許
J-GLOBAL ID：200903099189210037
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050282
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045326
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】下地密着層として用いる窒化チタンと化学気相法により成膜されるタングステンとからなる2層の金属層のエッチバックを実現する。【構成】第1段階目のエッチングとしては、フッ素系ガスを用いたタングステン膜5の高速エッチングを行い、W膜5を50nm以上100nm以下の膜厚で残す。第2段階目のエッチングとしては、塩素と酸素の混合ガスを用い、第1段階で残ったW膜5をエッチングする。第3段階目のエッチングとしては、塩素含有ガスとフッ素含有ガスまたは窒素もしくは不活性ガスとの混合ガスを用い、TiN膜4のエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された導体層上に絶縁膜を設けたのちこの絶縁膜に選択的に複数の微小な開口を設け、次でそれら開口を含む絶縁膜全面に窒化チタン膜とタングステン膜を順次形成して前記開口を充填し、次でこのタングステン膜と窒化チタン膜とを前記開口以外の部分においてエッチングにより除去する半導体装置の製造方法において、前記タングステン膜と前記窒化チタン膜とのエッチング工程が第1,第2および第3の3段階のドライエッチング工程により構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/302
, H01L 21/318
H01L 21/88 D
, H01L 21/88 R
